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新闻详情

Netsol替代Cypress的MRAM产品介绍

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发表时间:2025-02-27 13:38
文章附图

Netsol替代Cypress的MRAM产品介绍

一、Netsol公司概述

Netsol是一家成立于2010年的无晶圆厂IC设计和营销公司,在下一代存储器解决方案方面处于世界领先地位,特别是在STT - MRAM(自旋转移力矩磁阻随机存取存储器)领域表现卓越。该公司凭借强大的开发能力,能够为广泛的应用程序提供定制或优化的内存解决方案。其在设计低成本、小尺寸和低功耗存储器解决方案方面拥有专业知识,产品广泛应用于工业自动化、网络系统、医疗、游戏、企业数据中心和物联网设备等多个领域。

二、可替代Cypress的MRAM产品优势

Cypress的MRAM产品在市场上有一定的应用,但Netsol的MRAM产品具有一些显著优势,可以作为替代选择。Netsol的MRAM产品基于STT - MRAM技术,具有非易失性,这意味着即使在断电的情况下,数据也不会丢失,保证了数据的安全性和可靠性。同时,它具有几乎无限的耐久性,其写入耐久性可达10¹⁴次,读取耐久性更是无限,相比之下,传统的存储器可能在频繁读写后出现性能下降甚至损坏的情况。此外,Netsol的MRAM产品还具备快速写入特性,能够快速存储和检索数据和程序,大大提高了系统的运行效率。

三、串口MRAM系列产品特点及应用

产品特点

Netsol串口MRAM系列产品具有多种优势。在密度方面,有1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb等多种选择,可以满足不同用户的需求。电源方面,支持1.8V(1.71V - 1.98V)或3.3V(2.7V - 3.6V)两种电源规格,兼容性强。它兼容SDR和DDR串行接口的单、双和四SPI,提供了丰富的接口选择。数据保留期长达10年,让用户无需担心数据丢失问题。而且该系列产品无需外部ECC(错误检查与纠正),简化了系统设计。采用行业标准引脚和封装,如8WSON、8SOP,方便与其他设备进行集成。

应用场景

该系列产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序。在工业设计中,可用于代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器等方面。例如,在工业自动化系统中,需要实时记录设备的运行数据和状态信息,Netsol串口MRAM产品的快速写入和高耐久性能够确保数据的准确记录和长期保存;在物联网设备中,由于设备可能会频繁地进行数据交互和存储,该产品的快速读写性能和低功耗特性可以有效提高设备的运行效率和电池续航能力。它可以取代具有相同功能和非易失性的Flash、FeRAM或nvSRAM等存储器。

四、Parallel STT - MRAM系列产品特点及应用

产品特点

Netsol的Parallel STT - MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。其系列容量有1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb、64Mb等多种规格。电源供应支持1.8V(1.7V - 1.95V)或3.3V(2.7V - 3.6V)。采用Parallel异步接口x16/x8 I/O,数据保存期超过10年,读取耐力无限,擦写耐力达10¹⁴次,同样无需外部ECC。封装采用48FBGA、44TSOP2、54TSOP2等形式。与SRAM不同,它无需电压控制器、电池及电池插座,也无需nvSRAM所需的电容器,能够保证突发断电时的安全,恢复时间短,还具备保密功能。

应用场景

对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说,这是非常合适的内存。适用于工业设备中的PC、PLC、HMI等。在工业建设及工业制造过程中,工业设备通常需要在恶劣的操作环境中防止数据丢失和长期保存数据,并且要保证在停电时快速安全地获得备份。Netsol的Parallel STT - MRAM能够充分满足这些需求。例如,在PLC(可编程逻辑控制器)中,需要频繁地读写程序和数据,该产品的高耐久性和快速读写性能可以确保PLC的稳定运行;在工业PC中,它可以作为数据备份和工作存储器,保证数据的安全性和系统的可靠性。它可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等具有相同功能的存储器。

五、典型产品S3R1016和S3A1604

S3R1016

Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT - MRAM)。数据始终是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于简化系统设计。它是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器,支持x16或x8 I/O模式。x16 I/O模式允许通过数据字节控制(LB、UB)访问低位和高位字节,还支持异步页面模式功能,以提高读写性能。x16 I/O模式和x8 I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。在数据记录应用中,由于需要持续、反复地保存数据,对内存的写入速度和耐久性要求较高,S3R1016的快速写入速度和高耐久性能够很好地满足这些需求。例如,在记录系统内外部发生的事件、使用历史、环境参数、机器状态等数据时,S3R1016可以高效地完成数据记录任务。

S3A1604

S3A1604是一种NETSOL MRAM存储芯片,具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或(nv)SRAM。它提供SPI、DSPI、QSPI等模式,以允许带宽扩展选项。S3A1604具有非易失性寄存器位,包括状态寄存器、配置寄存器、序列号寄存器,还增加了256字节以及用于扩充字节的保护寄存器。这些寄存器位需要在高温回流焊工艺后通电时至少设置一次。采用8WSON、8SOIC引脚封装,封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。该产品适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器等场景,能够在保证数据安全的同时,提供高效的数据读写性能。

六、Netsol MRAM产品替代Cypress的前景

随着科技的不断发展,对存储器的性能要求越来越高。Netsol的MRAM产品凭借其非易失性、高耐久性和快速读写等优势,在替代Cypress的MRAM产品方面具有广阔的前景。在工业自动化、物联网等领域,对数据的安全性、可靠性和读写速度要求极高,Netsol的产品能够更好地满足这些需求。同时,其多样化的产品系列和规格可以适应不同的应用场景,为用户提供更多的选择。而且,Netsol在存储器领域的领先技术和专业能力,也为其产品的推广和应用提供了有力的支持。预计在未来,Netsol的MRAM产品将在更多的应用场景中取代Cypress的相关产品,成为市场上的主流选择之一。

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