请登录注册微信登录
收藏本站我的资料写邮件kevin@glochip.com0755-84866816QQ1330645577华芯微特淘宝点
新闻详情

MRAM应用之数据记录

新型存储之MRAM资讯

11
发表时间：2023-06-06 08:43作者：全球芯 | glochip.com来源：Netsol | MRAM | SRAM网址：http://glochip.com/news/
文章附图

数据记录

数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。

– 系统内外部发生的事件

– 使用历史

– 环境参数

– 机器状态

– 用于分析目的的其他数据

因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。

MRAM的主要优势如下

  • 与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座

  • 与nvSRAM不同，无需电容器

  • 写入速度快

  • 近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）

  • 断电即时数据备份

EDR（事件数据记录）

事故时的车况

TPMS（胎压监测系统）

胎压数据

智能手表

GPS定位

电梯

精确的位置数据

无人机

飞行数据

BMS（电池管理系统）

持续确认电池状态

导航

GPS定位

自动售货机

销售历史

自动存取款机

现金存取数据

太阳能系统

天气和电力相关数据


Note： https://www.chip.com.cn/mram/374.html
文章分类： MRAM
分享到：
Home                                    Product                                        News                                   About                                        Contact
Tel：
0755-84866816  
0755-84828852

Contact： Phone：13924645577  13924642346  
             13924649321  13928483205 Mail：kevin@glochip.com
Add：
深圳市龙岗区龙岗大道8288号大运软件小镇1栋401

web：   www.glochip.com
邮箱登录򠀧
全球芯微信公众号
加密芯片 华芯微特   艾迪科泰    博雅科技    恒烁半导体    补丁科技    晶存科技   华大电子    妙存科技     三星半导体   海力士  镁光科技     南亚科技  铠侠  金士顿   Skyhigh  Netsol
MCU  SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND FLASH SD NAND NOR FLASH eMMC UFS eMCP uMCP